Inhalt
Vertiefungsbereich: Elektronische Materialien
Der Kernbereich Elektronische Materialien (10CP) soll den Studierenden die grundlegenden Prinzipien, die für informationsverarbeitende und –speichernde Bauelemente genutzt werden können und darüber hinaus neuartige Logikbauelemente und Speicherkonzepte beigebracht werden. Die Studierenden haben anschließend das Potential neuer Materialien jenseits konventioneller Halbleiter erfasst. Sie sind anhand konkreter Beispiele selbstständig in der Lage, die Charakteristiken nanoelektronischer Bauelemente zu berechnen und besitzen die Fähigkeit, die prinzipiellen Grenzen in der Skalierung abzuschätzen und zu analysieren. Darüber hinaus ist das Potential neuer Materialien wie III/V-Halbleiter, Carbon Nanotubes und Graphen vertiefend verstanden
Zum Modul gehören die Veranstaltungen:
- Neue Materialien und Bauelemente in der Informationstechnik I (5CP, WiSe)
- Neue Materialien und Bauelemente in der Informationstechnik II (5CP, SoSe)
Zusätzlich dazu müssen mehrere Wahlpflichtmodule gewählt werden. Der Umfang dieser Module beträgt mindestens 15 CP. Mögliche kombinierbare Module sind:
- Silizium-Mikrosysteme I (5CP, SoSe)
- Silizium-Mikrosysteme II (5CP, WiSe)
- Organische Elektronik und Optoelektronik (5CP, WiSe)
- III-V Halbleiter I (5CP, WiSe)
- III-V Halbleiter II (5CP, SoSe)
- Festkörpertechnologie (5CP, WiSe)
- Nanoelektronische Bauelemente (5CP, SoSe)
- Sensoren (5CP, SoSe)
- Semiconductor Characterization (4CP, WiSe)
- GaN: Material, Technologie und Bauelemente (4CP, zweisemestrig, Start: WiSe)
- Oxidische Dünnschichten I (5CP, SoSe)
- Oxidische Dünnschichten II (5CP, WiSe)
- Photovoltaik (5CP, WiSe)